产品名称：进口光电探测器HBPR-100M-60K-SI

进口光电探测器HBPR-100M-60K-SI

产品特征：

• 带宽高达 500MHz
• 噪声抑制（CMRR 共模噪声）高达 55 dB
• 噪声极低，NEP 高达 3.7 pW/√Hz
• Si 和 InGaAs 型号，光谱范围为 320 至 1700 nm
• 可切换的 20MHz 低通滤波器可*大限度地减少宽带噪声
• 高达 60,000 V/A 的高增益，可分两级切换
• 输出信号的可切换耦合（AC/DC）
• 具有 10 MHz 带宽的快速直流耦合监视器输出
• 输入自由光束或光纤耦合
• 1.035"-40自由射流输入螺纹，兼容多种标准光学系统

光谱范围为 320 至 1000 nm 的型号：
模型                               HBPR-100M-60K-SI-FST                                           HBPR-200M-30K-SI-FST HBPR-500M-10K-SI-FST
HBPR-100M-60K-SI-FS HBPR-200M-30K-SI-FS HBPR-500M-10K-SI-FS
HBPR-100M-60K-SI-FC HBPR-200M-30K-SI-FC                                    HBPR-500M-10K-SI-FC
硅PIN光电二极管                       0.8mm直径 0.8mm直径 0.4 mm Ø，
带球透镜的 FC 型号
光谱范围 320 - 1000纳米 320 - 1000纳米 320 - 1000纳米
带宽 (−3dB) 直流 - 100MHz 直流 - 200MHz                                                 直流 - 500MHz
跨阻增益（可切换） 2.0x10 4V /A 1.0x10 4V /A 5.0x10 3V /A
6.0x10 4V / A                                                    3.0x10 4V / A 10.0x10 3V / A
转换增益 10.8 x 10 3 V/W 典型值。                                      5.4 x 10 3 V/W 典型值。                    2.55 x 10 3 V/W 典型值。
（可切换） 32.4 x 10 3 V/W 典型值。                                16.2 x 10 3 V/W 典型值。                      5.1 x 10 3 V/W 典型值。
（ @ 850 纳米）                                                 （@ 850 纳米）                                      （@ 760 纳米）
*低NEP ≤ 6.5 pW/√Hz（@850 纳米）                              ≤ 7.8 pW/√Hz（@850 纳米）          ≤ 12 pW/√Hz（@760 纳米）
新经济政策 (@ 20MHz)                         ≤ 7.4 pW/√Hz（@850 纳米） ≤ 8.8 pW/√Hz（@850 纳米）               ≤ 13 pW/√Hz（@760 纳米）
共模抑制（典型值） 50分贝                                                           45分贝                                                    40分贝
光谱范围为 800 至 1700 nm 的型号：
模型 HBPR-100M-60K-IN-FST                                          HBPR-200M-30K-IN-FST           HBPR-450M-10K-IN-FST
HBPR-100M-60K-IN-FS HBPR-200M-30K-IN-FS HBPR-450M-10K-IN-FS
HBPR-100M-60K-IN-FC HBPR-200M-30K-IN-FC HBPR-500M-10K-IN-FC
InGaAs PIN光电二极管                                  0.3 mm Ø（FS/FST 型号），80 µm Ø 球透镜（FC 型号）
光谱范围 800 - 1700 nm（FS/FST 型号），900 - 1700 nm（FC 型号）
带宽 (−3dB) 直流 - 100MHz 直流 - 200MHz 直流 - 450MHz (FS/FST)
直流 - 500MHz (FC)
跨阻增益（可切换）                                                2.0x10 4V /A                                              1.0x10 4V /A 5.0x10 3V /A
6.0x10 4V / A                                            3.0x10 4V / A 1.0x10 4V /A
1550 nm 处的转换增益（可切换）                           19 x 10 3 V/W 典型值。 9.5 x 10 3 V/W 典型值。             4.75 x 10 3 V/W 典型值
57 x 10 3 V/W 典型值。                        28.5 x 10 3 V/W 典型值。             9.5 x 10 3 V/W 典型值
*小 NEP (@ 1550 nm)                                     ≤ 3.7pW/√Hz                                                      ≤ 4.4 pW/√Hz (FS/FST) ≤ 6.5 pW/√Hz (FS/FST)
≤ 4.1 pW/√Hz (FC) ≤ 6.7 pW/√Hz (FC)
NEP（@ 20MHz，1550nm） ≤                                 4.3 pW/√Hz (FS/FST) ≤ 4.9 pW/√Hz (FS/FST) ≤ 6.9pW/√Hz
≤ 4.0 pW/√Hz (FC) ≤ 4.4 pW/√Hz (FC)
共模抑制（典型值） 50dB (FS/FST) 45dB (FS/FST)                  35 分贝 (FS/FST)
55分贝（FC） 50分贝（FC）                   45分贝（FC）

以下规格适用于所有 HBPR 型号：
*大 CW 共模功率 每个光电二极管 10 mW
低通滤波器 全带宽可切换至 20 MHz（上限频率）
高通滤波器（交流耦合） 直流耦合可切换为交流（10 Hz 下限频率）
信号输出电压 ±1.0V 到 50Ω 负载（用于线性增益和低谐波失真），
*大 ±2.0 V 至 50 Ω 负载
监控输出 跨阻（增益）1000 V/A，带宽 DC - 10 MHz，
输出电压 0 ... +10 V（@ ≥100 kΩ 负载）
电源电压/ ±15V (±14.5V … ±16.5V)
电源电流 –90 / +120mA 典型值。
住房 80 x 80 x 30.5 毫米（长 x 宽 x 高）
重量 FC 型号 350 克（0.77 磅），重量 FS/FST 型号 410 克（0.9 磅）
Femto光电探测器主要型号：

HBPR-100M-60K-SI-FST 、HBPR-200M-30K-SI-FST、 HBPR-500M-10K-SI-FST
HBPR-100M-60K-SI-FS、 HBPR-200M-30K-SI-FS 、HBPR-500M-10K-SI-FS
HBPR-100M-60K-SI-FC、 HBPR-200M-30K-SI-FC、 HBPR-500M-10K-SI-FC

HBPR-100M-60K-IN-FST、 HBPR-200M-30K-IN-FST、 HBPR-450M-10K-IN-FST
HBPR-100M-60K-IN-FS 、HBPR-200M-30K-IN-FS、 HBPR-450M-10K-IN-FS
HBPR-100M-60K-IN-FC、 HBPR-200M-30K-IN-FC、 HBPR-500M-10K-IN-FC